BD2320EFJ-LAE2
Rohm Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | BD2320EFJ-LAE2 |
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Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
Teil der Beschreibung.: | 100 V VB 3.5 A/4.5 A PEAK CURREN |
Datenblätte: | None |
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $3.01 |
10+ | $2.702 |
25+ | $2.5492 |
100+ | $2.172 |
250+ | $2.0394 |
500+ | $1.7845 |
1000+ | $1.4786 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannungsversorgung | 7.5V ~ 14.5V |
Supplier Device-Gehäuse | 8-HTSOP-J |
Serie | - |
Aufstieg / Fallzeit (Typ) | 8ns, 6ns |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TA) |
Anzahl der Treiber | 2 |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Logikspannung - VIL, VIH | 1.7V, 1.5V |
Eingabetyp | Non-Inverting |
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) | 100 V |
Gate-Typ | N-Channel MOSFET |
Angetriebene Konfiguration | High-Side and Low-Side |
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) | 3.5A, 4.5A |
Ladestrom | Independent |
Grundproduktnummer | BD2320 |
TRANS NPN 45V 2A TO126-3
BALUN 2.3GHZ-2.6GHZ 50/200 0603
1CH 4A HIGH SPEED LOW-SIDE GATE
BALUN 2.3GHZ-2.7GHZ 50/100 0404
TRANS NPN 45V 2A TO126-3
IC GATE DRVR HIGH-SIDE HVSOF5
TRANS NPN 45V 2A TO126
100V VB 3.5A/4.5A PEAK CURRENT H
IC GATE DRVR HIGH-SIDE HVSOF5
TRANS PNP 45V 2A TO126
NXP TO-126
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() BD2320EFJ-LAE2Rohm Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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